IPP60R180P7XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP100N12S305AKSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R180P7XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +175C (TJ)
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (single-pulse)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں