IPP60R180P7XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPP100N12S305AKSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP60R180P7XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55C to +175C (TJ)
Paket PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (single-pulse)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin