IPP60R180P7XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP60R180P7XKSA1 מאת Infineon ו IPP100N12S305AKSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP60R180P7XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C -55C to +175C (TJ)
מארז PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (single-pulse)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר