IPP60R180P7XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP60R180P7XKSA1 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP60R180P7XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55C to +175C (TJ)
بسته‌بندی PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پین‌ها 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes Yes (single-pulse)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت