IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2117STRPBF بواسطة Infineon و IRS21834STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
الوظيفة Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
عدد المخارج 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
زمن الصعود 80 ns (typ) —
زمن السقوط 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة / الحالة 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
العلبة — 14-SOIC (SOIC-14)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر