IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2117STRPBF توسط Infineon و IRS21834STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
عملکرد Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
تعداد خروجی‌ها 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
زمان صعود 80 ns (typ) —
زمان افت 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C
بسته‌بندی / کیس 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
سطح MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
بسته‌بندی — 14-SOIC (SOIC-14)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت