IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2117STRPBF द्वारा Infineon और IRS21834STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2117STRPBF IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
फ़ंक्शन Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
आउटपुट की संख्या 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
राइज़ टाइम 80 ns (typ) —
फॉल टाइम 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +125 C -40C to +125C
पैकेज / केस 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL स्तर MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
पैकेज — 14-SOIC (SOIC-14)

डेटाशीट और संसाधन

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