IR2117STRPBF vs IRS21834STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2117STRPBF מאת Infineon ו IRS21834STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2117STRPBF IRS21834STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side Single Channel Half-Bridge
פונקציה Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
מספר יציאות 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
זמן עלייה 80 ns (typ) —
זמן ירידה 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune dV/dt immune
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40C to +125C
מארז / Case 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 1.9 A
Sink Current (typ.) — 2.3 A
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
מארז — 14-SOIC (SOIC-14)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר