IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21834STRPBF بواسطة Infineon و IR2117STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة 14-SOIC (SOIC-14) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
الوظيفة — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
عدد المخارج — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
زمن الصعود — 80 ns (typ)
زمن السقوط — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
العلبة / الحالة — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر