IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS21834STRPBF מאת Infineon ו IR2117STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 14-SOIC (SOIC-14) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
פונקציה — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
מספר יציאות — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
זמן עלייה — 80 ns (typ)
זמן ירידה — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
מארז / Case — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר