IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS21834STRPBF توسط Infineon و IR2117STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40 C to +125 C
بسته‌بندی 14-SOIC (SOIC-14) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
عملکرد — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
تعداد خروجی‌ها — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
زمان صعود — 80 ns (typ)
زمان افت — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت