IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRS21834STRPBF द्वारा Infineon और IR2117STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR2117STRPBF IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF - 600V High-Side Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2117STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C -40 C to +125 C
पैकेज 14-SOIC (SOIC-14) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
फ़ंक्शन — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
आउटपुट की संख्या — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
राइज़ टाइम — 80 ns (typ)
फॉल टाइम — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
पैकेज / केस — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध