K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| التنظيم | 2G x 4 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |