K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G045WB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| संगठन | 2G x 4 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |