K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| ארגון | 2G x 4 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| השהיית CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |