K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G045WB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| সংগঠন | 2G x 4 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS লেটেন্সি | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |