K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G045WB توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| سازمان | 2G x 4 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| تأخیر CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |