K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G045WB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| تنظیم | 2G x 4 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |