K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G045WB disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BICH disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisasi | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Kadar Data | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| Suhu Operasi | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| Kemasan | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| Latensi CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |