MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-107:E بواسطة Micron Technology و K4B4G1646D-BFMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.5V |
| العلبة | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| زمن الوصول CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |