MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-107:E disebabkan oleh Micron Technology dan K4B4G1646D-BFMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.5V |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Suhu Operasi | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Kadar Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Boson Bebas | — | Yes |