MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16HA-107:E tarafından Micron Technology ve K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.5V |
| Paket | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Veri Hızı | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS Gecikme | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |