MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16HA-107:E بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646D-BFMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.5V |
| پیکیج | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS لیٹنسی | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes |