MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil MT41K256M16HA-107:E dari Micron Technology dan K4B4G1646D-BFMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktifPerbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Ukuran Memori | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemuat | 1.35V | 1.5V |
| Paket | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipe Mounting | Surface Mount | — |
| Suhu Kerja | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Antarmuka | Parallel | — |
| Laju Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Bebas Halogen | — | Yes |