MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA 比較
詳細並排比較 MT41K256M16HA-107:E 由 Micron Technology 與 K4B4G1646D-BFMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.5V |
| 封裝 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度 | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| 介面 | Parallel | — |
| 資料速率 | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 腳位數 | 96 | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 延遲 | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| 無鹵素 | — | Yes |