IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL65R230C7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD65R225C7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +150 C —
প্যাকেজ PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes (per Infineon product page) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +150°C
পিনের সংখ্যা — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট