IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL65R230C7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD65R225C7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product page) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
پنز کی تعداد — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں