IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL65R230C7AUMA1 द्वारा Infineon और IPD65R225C7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL65R230C7AUMA1 | IPD65R225C7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS C7) | Super-junction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 67 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 230 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ESD Protection | Yes (integrated, per datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 11 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 63 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 225 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C |
| पिन की संख्या | — | 3 (2 + tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |