IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL65R230C7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD65R225C7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL65R230C7AUMA1 IPD65R225C7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Super-junction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 11 A
Power Dissipation (PD) at TC — 63 W
On-Resistance RDS(on) max — 225 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Pin Sayısı — 3 (2 + tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin