K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও IS43QR16512B-062AABL নির্দিষ্ট ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $6.25 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps/pin | 3200 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| CAS লেটেন্সি | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bit |