K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics và IS43QR16512B-062AABL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt độngISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $6,25 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps/pin | 3200 MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Giao diện | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Hộp | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tổ chức | — | 512M x 16 |
| Latency CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 16 bit |