K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung Electronics ve IS43QR16512B-062AABL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktifISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $6,25 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps/pin | 3200 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Arayüz | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Paket | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| CAS Gecikme | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |