K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics و IS43QR16512B-062AABL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $6.25 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | 3200 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| رابط | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| تأخیر CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |