K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4AAG085WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4AAG165WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| সংগঠন | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| প্যাকেজ | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |