K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG085WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| संगठन | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| पैकेज | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |