K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG085WM-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WM-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| ארגון | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| מארז | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |