H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-PBL द्वारा SK hynix और NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-PBL NT5CC256M16DP-DI
ब्रांड SK hynix Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gb (256M x 16) —
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V 1.35V
डेटा दर 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (800MHz)
पैकेज 96-ball FBGA (TFBGA) VFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
CAS लेटेंसी 11, 12, 13 11, 12, 13 (programmable)
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री Yes —
Density — 4Gb
संगठन — 256M x 16
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40°C to +95°C (industrial)
इंटरफ़ेस — Differential clock (CK, CK#)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)

डेटाशीट और संसाधन

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