H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5TC4G63CFR-PBL disebabkan oleh SK hynix dan NT5CC256M16DP-DI disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Merek | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35V |
| Kadar Data | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Kemasan | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latensi CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Gambaran Suhu Operasi | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Antaramuka | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |