H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63CFR-PBL מאת SK hynix ו NT5CC256M16DP-DI מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb (256M x 16) | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35V |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| השהיית CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| ממשק | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |