H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-PBL توسط SK hynix و NT5CC256M16DP-DI توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ فعال
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5TC4G63CFR-PBL NT5CC256M16DP-DI
برند SK hynix Nanya Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
اندازه حافظه 4 Gb (256M x 16) —
ولتاژ تغذیه 1.35 V 1.35V
نرخ داده 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (800MHz)
بسته‌بندی 96-ball FBGA (TFBGA) VFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
تأخیر CAS 11, 12, 13 11, 12, 13 (programmable)
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes —
Density — 4Gb
سازمان — 256M x 16
محدوده دمای کاری — -40°C to +95°C (industrial)
رابط — Differential clock (CK, CK#)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت