H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-PBL sa pamamagitan ng SK hynix at NT5CC256M16DP-DI sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Packhaging | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latensya ng CAS | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |