H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI 比較
詳細並排比較 H5TC4G63CFR-PBL 由 SK hynix 與 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | H5TC4G63CFR-PBL | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 品牌 | SK hynix | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 供應電壓 | 1.35 V | 1.35V |
| 資料速率 | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| 封裝 | 96-ball FBGA (TFBGA) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS 延遲 | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 無鹵素 | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| 介面 | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |