H5TC4G63CFR-PBL vs NT5CC256M16DP-DI Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil H5TC4G63CFR-PBL dari SK hynix dan NT5CC256M16DP-DI dari Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktif
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum H5TC4G63CFR-PBL NT5CC256M16DP-DI
Merek SK hynix Nanya Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Ukuran Memori 4 Gb (256M x 16) —
Tegangan Pemuat 1.35 V 1.35V
Laju Data 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (800MHz)
Paket 96-ball FBGA (TFBGA) VFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
Latensi CAS 11, 12, 13 11, 12, 13 (programmable)
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Bebas Halogen Yes —
Density — 4Gb
Organisasi — 256M x 16
Rentang Suhu Kerja — -40°C to +95°C (industrial)
Antarmuka — Differential clock (CK, CK#)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon