K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics और E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electro-Mechanics | ELIXIR/NANYA |
| श्रेणी | EEPROM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $19.69 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +95 C | 0C to +95C (TCASE) |
| पैकेज | 96-FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| विशेषताएँ | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| CAS लेटेंसी | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |