K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics و E3AD8G16A4-HR توسط ELIXIR/NANYA. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | ELIXIR/NANYA |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| رابط | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to +95 C | 0C to +95C (TCASE) |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تأخیر CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |