K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور E3AD8G16A4-HR بذریعہ ELIXIR/NANYA. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC E3AD8G16A4-HR
برانڈ Samsung Electro-Mechanics ELIXIR/NANYA
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 3200 MT/s
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C 0C to +95C (TCASE)
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) TFBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Density — 8 Gb
CAS لیٹنسی — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں