K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve E3AD8G16A4-HR tarafından ELIXIR/NANYAAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC E3AD8G16A4-HR
Marka Samsung Electro-Mechanics ELIXIR/NANYA
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Veri Hızı 2400 Mbps 3200 MT/s
Clock Frequency 1333 MHz —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Arayüz Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C 0C to +95C (TCASE)
Paket 96-FBGA (TFBGA) TFBGA-96
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant —
Density — 8 Gb
CAS Gecikme — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin