K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics ו E3AD8G16A4-HR מאת ELIXIR/NANYA. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electro-Mechanics | ELIXIR/NANYA |
| קטגוריה | EEPROM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $19.69 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| מתח אספקה | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| ממשק | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +95 C | 0C to +95C (TCASE) |
| מארז | 96-FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| השהיית CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |