K4A8G165WC-BCRC vs E3AD8G16A4-HR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G165WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electro-Mechanics at E3AD8G16A4-HR sa pamamagitan ng ELIXIR/NANYA. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G165WC-BCRC | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electro-Mechanics | ELIXIR/NANYA |
| Kategorya | EEPROM | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | In Stock | — |
| Presyo ng Yunit (USD) | $19.69 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gbit | — |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 2400 Mbps | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Interface | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| Temperature na Operasyon | 0 C to +95 C | 0C to +95C (TCASE) |
| Packhaging | 96-FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Mga Karakteristika | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Latensya ng CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |