K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RHE165VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| डेटा दर | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| पैकेज | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |